Marktanalyse von Infineon GaN wächst um 889 Prozent – neue Technik für Netzwerke?

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Galliumnitrid-basierte (GaN) Leistungshalbleiter gewinnen rasant an Relevanz: Der Markt wächst laut Infineon von 45,8 Millionen US-Dollar (2020) auf 407,2 Millionen US-Dollar im Jahr 2025 – ein Anstieg um 889 Prozent. Insbesondere für Netzwerktechnik, Telekommunikation und AI-Rechenzentren wird GaN zur zentralen Technologie.

Der Markt für Galliumnitrid (GaN) in der Leistungselektronik befindet sich im Umbruch. Während GaN zunächst vor allem in Schnellladegeräten für Smartphones etabliert wurde, dringt die Technologie nun verstärkt auch in industrielle Anwendungen vor – darunter auch die Netzwerktechnik. Laut Infineon stieg das weltweite Marktvolumen von GaN-Leistungshalbleitern von 45,8 Millionen US-Dollar im Jahr 2020 auf voraussichtlich 407,2 Millionen US-Dollar im Jahr 2025 – ein Zuwachs von 889 Prozent.

Das hat direkte Auswirkungen auf die IT-Infrastruktur: Rechenzentren, Netzwerkswitches, 5G-Basisstationen und Edge-Systeme stehen zunehmend unter Druck, mehr Leistung auf geringerem Raum bei besserer Energieeffizienz bereitzustellen. GaN adressiert genau diese Schnittmenge: Hohe Schaltfrequenzen ermöglichen kompaktere Designs, der geringere Energieverlust reduziert Kühlbedarf und Stromverbrauch. Besonders relevant wird das in Power-over-Ethernet-Systemen (PoE++), Gleichspannungswandlern und lüfterlosen Edge-Geräten.

GaN in Netzwerken und KI-Rechenzentren

Beispiele dafür liefert der Netzwerkbereich: Erste Hersteller wie Trendnet integrieren GaN in Multi-Gigabit-Switches und zeigen, dass die Technologie auch in der Netzwerktechnik technisch umsetzbar ist. Die Geräte liefern bis zu 95 Watt pro PoE++-Port und benötigen je nach Modell keine aktiven Lüfter. Die hohe Leistungsdichte und die reduzierte Abwärme machen diese Lösungen interessant für Anwendungen in geräuschsensiblen Umgebungen, Wandinstallationen oder energieoptimierten Netzwerkschränken.

Auch in KI-Rechenzentren, die in den letzten Jahren stark gewachsen sind, steigen die Anforderungen an die Energieversorgung. Laut Infineon müssen künftige Stromversorgungen in solchen Umgebungen bis zu 12 kW pro Einheit bereitstellen – eine Herausforderung, die mit herkömmlicher Siliziumtechnik kaum noch effizient abbildbar ist. GaN bietet hier eine skalierbare Alternative, um die Verlustleistung zu senken und die Leistungsdichte zu erhöhen​.

Prognose: GaN noch Nische – aber mit Perspektive

Die Integration in die industrielle Serienproduktion – etwa durch die neue 300-mm-GaN-Waferlinie in Villach – ist laut Infineon der Schlüssel für weitere Skalierung. Voraussetzung für einen Durchbruch in der Netzwerktechnik bleiben jedoch verlässliche Lieferketten, wirtschaftlich tragbare Preise und Designs, die regulatorische Vorgaben wie EMV-Richtlinien erfüllen, um mittelfristig eine Preisparität zu Siliziumkomponenten zu erreichen – ein entscheidender Faktor für OEMs im Hochvolumengeschäft.

Die Produktionsausweitung bei Infineon könnte künftig zu einer breiteren Verfügbarkeit führen. Für größere Netzwerkhersteller ist das eine Voraussetzung, um GaN in eigenen Plattformen zu evaluieren. Bislang sind Anbieter wie Cisco, HPE oder Juniper in diesem Bereich jedoch noch nicht sichtbar aktiv.

GaN bietet konkrete Vorteile in Bezug auf Platz, Effizienz und Geräuschentwicklung. Der breite Marktdurchbruch hängt nun von der wirtschaftlichen Tragfähigkeit und Einhaltung regulatorischer Standards ab, um langfristig mit Siliziumkomponenten konkurrieren zu können.

Und besonders im KI-Umfeld wird sich zeigen, ob GaN zu einer Schlüsselfunktion werden kann. Wenn KI-Workloads weiter skalieren und Energieverbrauch zum Flaschenhals wird, braucht es neue Ansätze in der Infrastruktur. Galliumnitrid könnte in diesem Szenario nicht nur eine Option, sondern eine Notwendigkeit sein.

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