Intel macht bei der Prozessorfertigung noch winzigere Schritte. Der Technologiesprung ist hingegen gewaltig, da zum ersten Mal die EUV-Lithographie zum Einsatz kommt, die für weitere Verkleinerungen unverzichtbar ist. Trotz fast doppelt so vieler Milliarden Transistoren verglichen mit der aktuellen Haswell-Plattform wird beim Broadwell der Stromverbrauch sinken.
Strukturbreiten von 14 Millionstel Millimetern: Der Core-M-Chip mit der Broadwell-Architektur
(Intel)
Intels Halbleiterfertigungsprozess mit Strukturbreiten von 14 Nanometern ist jetzt reif für die Serienfertigung. Ein Nanometer ist ein Millionstel Millimeter. Der künftige x86-Core-M-Prozessor (Broadwell) ist die erste CPU, die im 14-nm-Produktionsverfahren hergestellt wird.
Das erste auf Intel Core M Prozessoren basierende System wird noch vor Weihnachten 2014 erhältlich sein. Eine breite OEM-Verfügbarkeit folgt im ersten Halbjahr 2015. Bereits in den kommenden Monaten erscheint eine Reihe von Produkten, die auf der Broadwell-Mikroarchitektur und der 14-nm-Fertigungstechnologie basieren. Details zur Broadwell-Architektur in der Bildergalerie:
Die Broadwell-Architektur soll sich für den Einsatz in verschiedensten IT-Umgebungen von mobilen Endgeräten und PCs über das Internet der Dinge bis hin zu Serversystemen für das Cloud-Computing eignen.
Intel wendet nach eigenen Angeben die 14-nmProduktionstechnologie als weltweit erstes Unternehmen in der Serienproduktion an, wobei Tri-Gate Transistoren der zweiten Generation (FinFET) zum Einsatz kommen:
Mehr hoch als breit
Der Thermal Design Point (TDP) wurde im Vergleich zur vorigen Prozessorgeneration (Haswell/22nm) bei gleichbleibender Leistung und verbesserter Akkulaufzeit mehr als halbiert. „Die Kombination aus Intels langjähriger Expertise im Chip-Design und einer weltweit führenden Fertigungstechnologie ermöglicht signifikante Leistungssteigerungen bei drastisch verringertem Energieverbrauch“, erklärt Rani Borkar, Intel Vice President und General Manager Product Development, Intel Corporation. Broadwell soll die Entwicklung lüfterloser Designs wesentlich erleichtern.
„Durch den Einsatz der zweiten Generation von Tri-Gate Transistoren bei der 14-nm-Fertigung bieten wir im Branchenvergleich ein erheblich minimiertes Kosten-pro-Transistor-Verhältnis bei maximierter Transistordichte, sagt Mark Bohr, Intel Senior Fellow der Technology and Manufacturing Group.
In diesem Youtube-Video nach der witzigen Vorlage "Honey, I shrunk the kids" erläutert der nun nanogroße Mark Bohr die Grundzüge der Broadwell-Architektur aus der "abgespacten" Sicht :
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Stand vom 30.10.2020
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