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Samsungs 32GB-RDIMM angeblich um 70 Prozent schneller als bisherige Quad-Rank-Module 30nm DDR3-Speichermodule mit TSV-Gehäuse für High-Capacity-Server

Autor / Redakteur: Bernhard Lück / Peter Schmitz

Samsung entwickelt ein 32GB DDR3 RDIMM mit dreidimensionaler TSV-Gehäusetechnologie (Through-silicon via). Das Speichermodul basiert auf Samsungs 30nm-Class-Technologie (Strukturen zwischen 30 und 39 Nanometern), die die Leistungsfähigkeit optimieren und eine umweltfreundlichere Speicherlösung als mit Modulen in 40-nm-Class-Technologie (Strukturen zwischen 40 und 49 Nanometern) hervorbringen soll. Engineering-Muster wurden bereits zur Evaluierung ausgeliefert.

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Samsungs angekündigtes 32GB-Speichermodul für Server soll nicht nur besonders leistungsfähig, sondern auch besonders umweltfreundlich sein.
Samsungs angekündigtes 32GB-Speichermodul für Server soll nicht nur besonders leistungsfähig, sondern auch besonders umweltfreundlich sein.
( Archiv: Vogel Business Media )

Das 32GB-RDIMM mit 3D-TSV-Gehäusetechnologie basiert auf Samsungs 30nm-Class-4-Gigabit-DDR3-Memory. Samsung zufolge kann es Daten mit bis zu 1.333 MBit/s übertragen. Bisherige Quad Rank 32GB-RDIMMs erreichen 800 MBit/s.

TSV-Technologie spart Energie

Der Energieverbrauch des 32-GB-Moduls beträgt laut Samsung 4,5 Wh. Dies sei bei Speichermodulen speziell für Unternehmensserver der geringste Energieverbrauch. Die vom Hersteller mit etwa 30 Prozent angegebene Energieeinsparung sei direkt auf die eingesetzte TSV-Technologie zurückzuführen.

Die TSV-Technologie ermögliche, dass ein Bauteil mit mehreren übereinander gestapelten Chips (Multi-Stacked Chip) vergleichbar mit einem einzigen Siliziumchip funktioniere. Wegen der dadurch wesentlich kürzeren Signalleitungen würde sich der Energieverbrauch reduzieren. Gleichzeitig sei eine höhere Speicherkapazität sowie eine höhere Signalübertragungsgeschwindigkeit erreichbar.

20-nm-Class-DDR3-Speichermodul in Planung

Samsung hat zusätzlich zu einigen Serversystemkunden mit CPU- und Controller-Entwicklern zusammengearbeitet, um den Einsatz von 3-D-TSV-Servermodulen zu beschleunigen und den Weg für eine einfachere Unterstützung von 20-nm-Class-DDR3-Speichermodulen (Strukturen zwischen 20 und 29 Nanometern) mit 32 GB und mehr für die Implementierung in High-Capacity-Servern zu ebnen.

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